1分快3官网开奖结果我国科学家开创第三类存储技术

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2018-04-11 14:33新华网评论(人参与)

  新华社上海4月10日电(记者吴振东)近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入数率比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这补救了国际半导体电荷存储技术中“写入数率”与“非易失性”难以兼得的问题图片。

  北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

  据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,类式计算机中的内存,掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,类式亲们常用的U盘,在写入数据后不需要额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据,第二类电荷存储技术必须几微秒到几十微秒要能把数据保存下来。

  此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据数率,又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失内部人员。你这一全新内部人员不仅在高速内存中要能 极大降低存储功耗,一块儿能实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景补救了保密性和传输的矛盾。

  这项研究创新性地选取 多重二维材料堆叠构成了半浮栅内部人员晶体管:二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存,氮化硼作为隧穿层,制成阶梯能谷内部人员的范德瓦尔斯异质结。

  “选取 这几种二维材料,将充挂接挥二维材料的丰富能带内部人员。一每种如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一每种像一面密不透风的墙,电子难以进出。对‘写入数率’与‘非易失性’的调控,就在于这两每种的比例。”周鹏说。

  写入数率比目前U盘快一万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,要能 实现按照数据有效时间需求设计存储器内部人员……经过测试,研究人员发现你这一基于全二维材料的新型异质结要能实现全新的第三类存储内部人员。

  科研人员称,基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

  这项科学突破由复旦大学科研团队独立完成,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室为唯一单位。该项工作得到国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的支持。